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采用扫描电镜、透射电镜、涡流金属电导仪及显微硬度计等研究了退火温度对Cu-Cr-X合金带材硬度、导电率、抗拉强度以及微观组织的影响规律。结果表明:原始冷轧态合金带材经过370℃退火处理后,在保持高的导电率情况下,合金带材硬度由152.6 HV0.1升高到164.5 HV0.1、强度由532 MPa升高到544 MPa。随着退火温度升高到420℃,合金导电率变化不大,但强度和硬度明显降低,其中强度下降到519 MPa,硬度下降到154.8 HV0.1。微观组织分析表明:经过370℃退火后合金中出现了亚晶组织,晶界增多,增加对位错阻碍作用,有利于力学性能的提升。 相似文献
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目的:通过阳极氧化及退火处理对镁表面氧化膜层进行优化并探索其对镁表面氧化层结构、耐腐蚀性能以及生物相容性的影响。方法:对纯镁进行不同电压参数的阳极氧化(5V、10V、20V、40V),后进行450℃高温退火处理。通过扫描电子显微镜分析膜层表面及截面形貌,原子力显微镜分析三维结构与粗糙度,电化学极化实验与体外浸泡实验评估耐腐蚀性能,CCK-8实验评估对小鼠成骨细胞MC3T3-E1的增殖活性影响。结果:电压的升高可以使表面膜层从层板状变得多孔,继续升高又变得光滑均匀。退火处理维持了基本形貌特征,膜层厚度有所增加,粗糙度有所下降。未退火膜层由于微孔的存在以及氢氧化镁的不稳定导致耐腐蚀性能并未增高,退火所形成的致密氧化镁结晶膜层有一定的保护作用,其中40V氧化后退火组拥有相对较好的耐腐蚀性能,且对细胞增殖无明显抑制作用。结论:阳极氧化电压对纯镁阳极氧化膜层结构有影响,退火可以进一步稳定膜层,提高其耐腐蚀性能,40V氧化退火组耐腐蚀性能较好,且生物相容性良好。 相似文献
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目的 验证15 nm厚度AlCrTaTiZrRu/(AlCrTaTiZrRu)N0.7的势垒层热稳定性和扩散阻挡性能。方法 采用直流磁控溅射技术在n型Si(111)基片上真空溅射沉积15 nm的AlCrTaTiZrRu(3 nm)/(AlCrTaTiZrRu)N0.7 (12 nm)双层阻挡层,随后在双层AlCrTaTiZrRu/(AlCrTaTiZrRu)N0.7薄膜的顶部沉积50 nm厚的Cu膜,最终制得Cu/AlCrTaTiZrRu/(AlCrTaTiZrRu)N0.7/Si复合薄膜试样。将样品在真空退火炉中分别进行600~900 ℃高温退火30 min,以模拟最恶劣的应用环境。用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射仪(XRD)、能谱分析仪(EDS)、四探针电阻测试仪(FPP)以及原子力显微镜(AFM)对试样的表面形貌、物相组成、化学成分、方块电阻和粗糙度进行表征分析。结果 沉积态AlCrTaTiZrRu/(AlCrTaTiZrRu)N0.7薄膜呈现非晶结构,与Cu膜和Si衬底的结合良好。在800 ℃退火后,Cu/AlCrTaTiZrRu/(AlCrTaTiZrRu)N0.7/Si薄膜系统结构完整,膜层结构界面之间未出现分层现象,表面Cu颗粒团聚现象加剧,Si衬底和Cu膜表面未发现Cu-Si化合物生成,薄膜方阻保持在较低的0.070 ?/sq;900 ℃退火后,薄膜系统未出现层间分离和空洞现象,Cu膜表面形成孤立的大颗粒Cu-Si化合物,薄膜电阻率大幅上升。结论AlCrTaTiZrRu/(AlCrTaTiZrRu)N0.7双层结构在800 ℃退火后仍能有效抑制Cu与Si相互扩散,其非晶结构增强了Cu/HEA/HEAN0.7/Si体系的热稳定性和扩散阻挡性。 相似文献
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采用径迹蚀刻的方法研究了热处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜中重离子径迹的热退火效应。使用113.7 MeV的32S离子在PET薄膜中产生垂直于表面且贯穿薄膜的离子径迹。对薄膜进行局部热处理,加热温度为70~240 ℃,时间为1~300 s。薄膜经过化学蚀刻成核孔膜后使用显微镜观测。结果表明:在相同的热处理时间下,随着热处理温度的升高,PET薄膜中离子径迹的热退火效应愈加明显;在热处理温度不变的情况下,随着热处理时间的增加,退火效应亦愈加明显。 相似文献
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向小琴 《理化检验(物理分册)》2020,56(4):23-24,52
以某批次有磁痕显示的螺栓为研究对象,分析其磁痕显示的原因。消除带状偏析后磁痕显示仍然无改善。采用塔形发纹检测、金相检验、能谱分析等方法研究了螺栓消除带状偏析后磁痕显示无改善的原因。结果表明:该批螺栓磁痕显示不是由带状偏析引起的,而是由原材料的冶金缺陷(夹杂物超标)引起的。 相似文献